Файли cookie допомагають нам забезпечити безпеку сайту та покращити ваш досвід користування. Дізнайтеся більше або змініть свої налаштування файлів cookie.
Ми використовуємо файли cookie, щоб забезпечити вам найрелевантніший досвід.
RF GaN Bare-die (Discrete)
Регіон
South Korea
Категорія
Electronic intelligence and electronic warfare
Application - Broadband Amplifiers- U/VHF Amplifiers- Base Station Communications- Satellite Communications- Radar Application- Drone/UAV Characteristics - GaN on SiC Technology- High Breakdown Voltage- High Efficiency- Reliability Monitoring Function- Designed for 28/48V Application- Customize Available- 12-15V Applications Possible: PAE/OUTPUT 5~15% Reduced Specifications Operating Voltage 28V Operation Frequency DC-20GHz Operating Modes CW/Pulsed (High POUT & High PAE) Peak Output Power (Psat) >60 Power Added
Efficiency High Optional Function Reliability Monitoring (To Predict MTTF)