Файли cookie допомагають нам забезпечити безпеку сайту та покращити ваш досвід користування. Дізнайтеся більше або змініть свої налаштування файлів cookie.
Ми використовуємо файли cookie, щоб забезпечити вам найрелевантніший досвід.
RF GaN Transistor(WG40280A)
Регіон
South Korea
Категорія
Електронна розвідка та радіоелектронна боротьба
Application - Amplifiers- IMFET- Unmatched GaN Transistor- RF GaN Transistor- Broadband Transistor- Communication Transistor- RF and Microwave Components- SSPA- Communication Transistor,- Jammer Characteristics WG40280B- 0.4um Wavice Durable Gate Process- Durable GaN- Enhanced Ruggedness- High Efficiency- Excellent Thermal Stability- Designed for 28~50V Application Specifications Peak Output Power(Psat) 218W[50V] Operating Voltage 28~50V Operation Frequency DC-4GHz Breakdown Voltage >150V Power Added Efficiency
High Small Signal Gain [email protected][50V]