Файли cookie допомагають нам забезпечити безпеку сайту та покращити ваш досвід користування. Дізнайтеся більше або змініть свої налаштування файлів cookie.
Ми використовуємо файли cookie, щоб забезпечити вам найрелевантніший досвід.
RF GaN Transistor (Unmatched/Matched: IMFET)
Регіон
South Korea
Категорія
Електронна розвідка та радіоелектронна боротьба
Application - Broadband Amplifiers- U/VHF Amplifiers- IFF (Identification Friend or Foe)- Base Station Communications- Satellite Communications- Radar System (SSPA, TWTA Replacement)- Avionics RF Module- Cellular Infrastructure Characteristics - GaN on SiC Technology- High Breakdown Voltage- High Efficiency- Reliability Monitoring Function- Designed for 28/48V Application- Customize Available- 12-15V applications possible: PAE/OUTPUT 5~15% Reduced Specifications Operating Voltage 28V/48V Operation Frequency Up to
7GHz Operating Modes CW/Pulsed (High POUT & High PAE) Output Power 5-400W Efficiency at P3dB Above 50% Optional Function Reliability Monitoring (To Predict MTTF)